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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > RSD050N10TL

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Imagem RSD050N10TL.

LAPIS Semiconductor

RSD050N10TL

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Disponível

2500+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RSD050N10TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.RSD050N10TL.pdf
2.RSD050N10TL.pdf
3.RSD050N10TL.pdf
4.RSD050N10TL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

CPT3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

190 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

15W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

RSD050N10TL-ND
RSD050N10TLTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 5A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount CPT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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