RUE002N02TL

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Especificações

Modelo do Produto

RUE002N02TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RUE002N02TL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

EMT3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Dissipação de energia (Max)

150mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-75, SOT-416
Outros nomes

RUE002N02TLTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.2V, 2.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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