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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > SSTA06HZGT116

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3471147

Imagem SSTA06HZGT116.

LAPIS Semiconductor

SSTA06HZGT116

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SSTA06HZGT116
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.SSTA06HZGT116.pdf
2.SSTA06HZGT116.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SST3
Série

Automotive, AEC-Q101
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

SSTA06HZGT116TR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 200mW Surface Mount SST3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA

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