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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > UMB6NTR
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UMB6NTR

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Disponível
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$0.071
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    UMB6NTR
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    UMB6NTR.pdf
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    UMT6
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Power - Max
    150mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    250MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    30mA
  • Número da peça base
    MB6

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Disponível
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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