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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > DS1250AB-100

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5798335

Imagem DS1250AB-100.

Maxim Integrated

DS1250AB-100

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DS1250AB-100
Fabricante / Marca

Analog Devices / Maxim Integrated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

DS1250AB-100.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

100ns
Tensão - Fornecimento

4.75 V ~ 5.25 V
Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Embalagem do dispositivo fornecedor

32-EDIP
Série

-
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Temperatura de operação

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memória

Non-Volatile
Tamanho da memória

4Mb (512K x 8)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

NVSRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrição detalhada

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP
Número da peça base

DS1250AB
Tempo de acesso

100ns

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