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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > DS1258Y-100#

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DS1258Y-100#

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DS1258Y-100#
Fabricante / Marca

Analog Devices / Maxim Integrated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DS1258Y-100#.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

100ns
Tensão - Fornecimento

4.5 V ~ 5.5 V
Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Embalagem do dispositivo fornecedor

40-EDIP
Série

-
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
Temperatura de operação

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memória

Non-Volatile
Tamanho da memória

2Mb (128K x 16)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

NVSRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 100ns 40-EDIP
Número da peça base

DS1258Y
Tempo de acesso

100ns

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Descrição: IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

Fabricantes: Maxim Integrated

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