US1B-TP

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

$0.46

10+

$0.326

100+

$0.214

500+

$0.127

1000+

$0.097

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

US1B-TP
Fabricante / Marca

Micro Commercial Components (MCC)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

US1B-TP.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

100V
Embalagem do dispositivo fornecedor

DO-214AC (SMA)
Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

50ns
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

DO-214AC, SMA
Outros nomes

US1B-TPMSCT
Temperatura de Operação - Junção

-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Atual - dispersão reversa @ Vr

10µA @ 100V
Atual - rectificada média (Io)

1A
Capacitância @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz
Número da peça base

US1B

O seguinte é "US1B-TP" produtos relacionados.

US1BHE3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

US1D M2G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

RFQ

US1B-E3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

US1B-M3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

US1AHR3G

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

RFQ

US1B-13-F

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated

Disponível

RFQ

US1D R3G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

RFQ

US1B M2G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

RFQ

US1B-13

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated

Disponível

RFQ

US1BHE3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

US1BHE3_A/I

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

US1B R3G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

RFQ

US1BHM2G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

RFQ

US1BHE3_A/H

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

US1B/1

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

US1BFA

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

RFQ

US1AHM2G

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

RFQ

US1BHR3G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

RFQ

US1B-E3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

US1B-M3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Registro antecipado

US1B-TP

Inquérito On-line

Preço de referência (em dólares americanos)

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

A Coréia do Sul planeja promulgar o ato de chip para comba...

US1BHE3/5AT

US1D M2G

US1B-E3/5AT

US1B-M3/5AT

US1AHR3G

US1B-13-F

US1D R3G

US1B M2G

US1B-13

US1BHE3/61T

US1BHE3_A/I

US1B R3G

US1BHM2G

US1BHE3_A/H

US1B/1

US1BFA

US1AHM2G

US1BHR3G

US1B-E3/61T

US1B-M3/61T

Selecione o idioma

Linguagem atual