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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > EDB4416BBBH-1DIT-F-D
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EDB4416BBBH-1DIT-F-D

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Disponível
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$9.563
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    EDB4416BBBH-1DIT-F-D
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    EDB4416BBBH-1DIT-F-D.pdf
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    -
  • Tensão - Fornecimento
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    134-FBGA (10x11.5)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tray
  • Caixa / Gabinete
    134-WFBGA
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    4Gb (256M x 16)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Freqüência de relógio
    533MHz

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EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4064B4PB-1D-F-R TR

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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB2432BCPE-8D-F-D

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Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4064B4PB-1DIT-F-R

EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4064B4PB-1D-F-D

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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4064B3PP-1D-F-D

EDB4064B3PP-1D-F-D

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4064B3PB-8D-F-D

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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

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Disponível
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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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EDB4416BBBH-1DIT-F-R

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
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Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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