MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC FLASH 1.125T PARALLEL 267MHZ
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Modelo ECAD
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

-
Tensão - Fornecimento

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia

FLASH - NAND
Série

-
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Outros nomes

MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR-ND
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:BTR
Temperatura de operação

0°C ~ 70°C (TA)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Non-Volatile
Tamanho da memória

1.125Tb (144G x 8)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

FLASH
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

FLASH - NAND Memory IC 1.125Tb (144G x 8) Parallel 267MHz
Freqüência de relógio

267MHz

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Remessa
Forma de pagamento

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MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

Descrição: IC FLASH 1.125T PARALLEL 333MHZ

Fabricantes: Micron Technology

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MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR

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