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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT41K256M16TW-107 AT:P TR
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1501758

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    MT41K256M16TW-107 AT:P TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MEMORY DRAM
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    MT41K256M16TW-107 AT:P TR.pdf
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    -
  • Tensão - Fornecimento
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3L
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    96-FBGA (8x14)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    96-TFBGA
  • Outros nomes
    MT41K256M16TW-107AT:PTR
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    4Gb (256M x 16)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
  • Freqüência de relógio
    933MHz
  • Tempo de acesso
    20ns

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Pagamento
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MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 AAT:P

MT41K256M16TW-107 AAT:P

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-093 IT:P TR

MT41K256M16TW-093 IT:P TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 AIT:P

MT41K256M16TW-107 AIT:P

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16RE-15E IT:D

MT41K256M16RE-15E IT:D

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 AT:P

MT41K256M16TW-107 AT:P

Descrição: MEMORY DRAM

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-093:P TR

MT41K256M16TW-093:P TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-093 IT:P

MT41K256M16TW-093 IT:P

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-125:P

MT41K256M16TW-125:P

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-093:P

MT41K256M16TW-093:P

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
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