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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT41K64M16JT-125:G TR
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MT41K64M16JT-125:G TR

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
2000+
$5.265
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    MT41K64M16JT-125:G TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    MT41K64M16JT-125:G TR.pdf
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    -
  • Tensão - Fornecimento
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3L
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    96-FBGA (8x14)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    96-TFBGA
  • Outros nomes
    MT41K64M16JT-125:G TR-ND
    MT41K64M16JT-125:GTR
  • Temperatura de operação
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    1Gb (64M x 16)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR3L Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA (8x14)
  • Freqüência de relógio
    800MHz
  • Número da peça base
    MT41K64M16
  • Tempo de acesso
    13.75ns

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Pagamento
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MT41K512M8V90BWC1

MT41K512M8V90BWC1

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K512M8RH-125:E

MT41K512M8RH-125:E

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16TW-107 AIT:J

MT41K64M16TW-107 AIT:J

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16TW-107 IT:J TR

MT41K64M16TW-107 IT:J TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K512M8RH-125:E TR

MT41K512M8RH-125:E TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16TW-107 AUT:J

MT41K64M16TW-107 AUT:J

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16TW-107 IT:J

MT41K64M16TW-107 IT:J

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16JT-15E:G

MT41K64M16JT-15E:G

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16JT-15E:G TR

MT41K64M16JT-15E:G TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16TW-107 AAT:J

MT41K64M16TW-107 AAT:J

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
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