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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT47H256M8EB-187E:C TR
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MT47H256M8EB-187E:C TR

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1000+
$17.761
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    MT47H256M8EB-187E:C TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    MT47H256M8EB-187E:C TR.pdf
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    15ns
  • Tensão - Fornecimento
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    60-FBGA (9x11.5)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    60-TFBGA
  • Outros nomes
    MT47H256M8EB-187E:C TR-ND
    MT47H256M8EB-187E:CTR
  • Temperatura de operação
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    2Gb (256M x 8)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 533MHz 350ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Freqüência de relógio
    533MHz
  • Número da peça base
    MT47H256M8
  • Tempo de acesso
    350ps

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MT47H256M8EB-25E IT:C

MT47H256M8EB-25E IT:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-25E XIT:C

MT47H256M8EB-25E XIT:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M4HQ-187E:E TR

MT47H256M4HQ-187E:E TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-187E:C

MT47H256M8EB-187E:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-25E AIT:C

MT47H256M8EB-25E AIT:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M4HQ-3:E TR

MT47H256M4HQ-3:E TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M4HQ-5E:E TR

MT47H256M4HQ-5E:E TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M4CF-25E:H TR

MT47H256M4CF-25E:H TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M4CF-3:H

MT47H256M4CF-3:H

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M4CF-3 IT:H

MT47H256M4CF-3 IT:H

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M4CF-25E:H

MT47H256M4CF-25E:H

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M4CF-3:H TR

MT47H256M4CF-3:H TR

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-25E:C TR

MT47H256M8EB-25E:C TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-25E IT:C TR

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-3:C TR

MT47H256M8EB-3:C TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M4SH-25E:M

MT47H256M4SH-25E:M

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
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