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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT47H512M4EB-3:C
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MT47H512M4EB-3:C

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Disponível
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$36.66
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    MT47H512M4EB-3:C
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    MT47H512M4EB-3:C.pdf
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    15ns
  • Tensão - Fornecimento
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    60-FBGA (9x11.5)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tray
  • Caixa / Gabinete
    60-TFBGA
  • Temperatura de operação
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    2Gb (512M x 4)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Freqüência de relógio
    333MHz
  • Número da peça base
    MT47H512M4
  • Tempo de acesso
    450ps

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Pagamento
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MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H32M16U67A3WC1

MT47H32M16U67A3WC1

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Descrição: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Descrição: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
RFQ
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