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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT47H64M8CB-37E IT:B TR

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Imagem MT47H64M8CB-37E IT:B TR.

Micron Technology

MT47H64M8CB-37E IT:B TR

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MT47H64M8CB-37E IT:B TR.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

15ns
Tensão - Fornecimento

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia

SDRAM - DDR2
Embalagem do dispositivo fornecedor

60-FBGA
Série

-
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

60-FBGA
Outros nomes

MT47H64M8CB-37E IT:B TR-ND
MT47H64M8CB-37EIT:BTR
Temperatura de operação

-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

512Mb (64M x 8)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 267MHz 500ps 60-FBGA
Freqüência de relógio

267MHz
Número da peça base

MT47H64M8
Tempo de acesso

500ps

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Forma de pagamento

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MT47H64M8CB-25:B

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Fabricantes: Micron Technology

Disponível

MT47H64M8B6-5E:D TR

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Fabricantes: Micron Technology

Disponível

MT47H64M8CB-3:B

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Fabricantes: Micron Technology

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MT47H64M8CB-25:B TR

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Fabricantes: Micron Technology

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MT47H64M8CB-37E:B

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MT47H64M8CB-37V:B

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MT47H64M8B6-25E:D TR

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MT47H64M8CB-3:B TR

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MT47H64M8CB-5E IT:B TR

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MT47H64M8CB-37V:B TR

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MT47H64M8B6-3 IT:D TR

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MT47H64M8CB-5E:B TR

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MT47H64M8B6-37E IT:D TR

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MT47H64M8B6-3:D TR

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MT47H64M8CB-5E:B

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MT47H64M8CB-37E IT:B

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MT47H64M8CB-5E IT:B

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