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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT49H32M18BM-25:B

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MT49H32M18BM-25:B

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MT49H32M18BM-25:B
Fabricante / Marca

Micron Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MT49H32M18BM-25:B.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

-
Tensão - Fornecimento

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia

DRAM
Embalagem do dispositivo fornecedor

144-µBGA (18.5x11)
Série

-
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

144-TFBGA
Temperatura de operação

0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

576Mb (32M x 18)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-µBGA (18.5x11)
Freqüência de relógio

400MHz
Número da peça base

MT49H32M18
Tempo de acesso

20ns

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Forma de pagamento

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Pagamento

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MT49H32M18BM-25:B TR

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Descrição: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Fabricantes: Micron Technology

Disponível

MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

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Fabricantes: Micron Technology

Disponível

MT49H32M18CFM-18:B

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Descrição: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Fabricantes: Micron Technology

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MT49H32M18BM-33:B TR

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Fabricantes: Micron Technology

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Fabricantes: Micron Technology

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Fabricantes: Micron Technology

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MT49H32M18BM-25E:B TR

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MT49H16M36SJ-18:B

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Descrição: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Fabricantes: Micron Technology

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MT49H16M36SJ-25E:B

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MT49H16M36SJ-25:B

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MT49H32M18BM-33:B

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