1N5554

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Especificações

Modelo do Produto

1N5554
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

1N5554.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1.2V @ 9A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

1000V
Embalagem do dispositivo fornecedor

-
Velocidade

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

2µs
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

B, Axial
Temperatura de Operação - Junção

-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 1000V 3A Through Hole
Atual - dispersão reversa @ Vr

1µA @ 1000V
Atual - rectificada média (Io)

3A
Capacitância @ Vr, F

-

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Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

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Descrição: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Fabricantes: Microsemi

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