1N5617US

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Especificações

Modelo do Produto

1N5617US
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

1N5617US.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1.6V @ 3A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

400V
Embalagem do dispositivo fornecedor

D-5A
Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

150ns
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

SQ-MELF, A
Temperatura de Operação - Junção

-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
Atual - dispersão reversa @ Vr

500nA @ 400V
Atual - rectificada média (Io)

1A
Capacitância @ Vr, F

35pF @ 12V, 1MHz

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