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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2N3439L

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Imagem 2N3439L.

Microsemi

2N3439L

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N3439L
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 350V 1A TO-5
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

2N3439L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

350V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-5
Série

-
Power - Max

800mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Temperatura de operação

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Through Hole TO-5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

2µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

1A

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