2N3637L

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Especificações

Modelo do Produto

2N3637L
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 175V 1A
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

2N3637L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

175V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-5
Série

-
Power - Max

1W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Outros nomes

1086-20891
1086-20891-MIL
Temperatura de operação

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

10µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

1A

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