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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > 2N5795

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2N5795

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N5795
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP 60V 0.6A TO-78
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

2N5795.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-78-6
Série

-
Power - Max

600mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-78-6 Metal Can
Outros nomes

1086-21077
1086-21077-MIL
Temperatura de operação

-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 600mW Through Hole TO-78-6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

600mA

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