2N6798

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Especificações

Modelo do Produto

2N6798
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-39
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

400 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

800mW (Ta), 25W (Tc)
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-205AF Metal Can
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

5.29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

200V
Descrição detalhada

N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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2N6802

Descrição: MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39

Fabricantes: Microsemi

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