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6430634Imagem APT22F100J.Microsemi

APT22F100J

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Especificações
  • Modelo do Produto
    APT22F100J
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    1.APT22F100J.pdf
    2.APT22F100J.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    ISOTOP®
  • Série
    POWER MOS 8™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    380 mOhm @ 18A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    545W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Chassis Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    21 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    9835pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    1000V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

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