APT30M60J

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Especificações

Modelo do Produto

APT30M60J
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.APT30M60J.pdf
2.APT30M60J.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ISOTOP®
Série

POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

150 mOhm @ 21A, 10V
Dissipação de energia (Max)

355W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5890pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

215nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 31A (Tc) 355W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

31A (Tc)

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