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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT41M80B2

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Imagem APT41M80B2.

Microsemi

APT41M80B2

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Disponível

60+

$18.055

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

APT41M80B2
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.APT41M80B2.pdf
2.APT41M80B2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

T-MAX™ [B2]
Série

POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

210 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1040W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3 Variant
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8070pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 43A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

43A (Tc)

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