APT44GA60BD30

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

90+

$7.289

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

APT44GA60BD30
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 600V 78A 337W TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

APT44GA60BD30.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.5V @ 15V, 26A
Condição de teste

400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

16ns/84ns
Alternando Energia

409µJ (on), 258µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247 [B]
Série

POWER MOS 8™
Power - Max

337W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

29 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

PT
portão de carga

128nC
Descrição detalhada

IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
Atual - Collector Pulsada (ICM)

130A
Atual - Collector (Ic) (Max)

78A

O seguinte é "APT44GA60BD30" produtos relacionados.

APT42F50S

Descrição: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT44GA60B

Descrição: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT43F60L

Descrição: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT43GA90B

Descrição: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT44F80B2

Descrição: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT45GR65SSCD10

Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT45GR65B2DU30

Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT44F80L

Descrição: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT45GP120JDQ2

Descrição: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT43F60B2

Descrição: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Fabricantes: Microsemi

Disponível

RFQ

APT45GP120J

Descrição: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Registro antecipado

APT44GA60BD30

Inquérito On-line

Preço de referência (em dólares americanos)

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

APT42F50S

APT44GA60B

APT43F60L

APT43GA90B

APT44F80B2

APT45GR65SSCD10

APT45GR65B2DU30

APT44F80L

APT45GP120JDQ2

APT43F60B2

APT45GP120J

APT45M100J

APT45GP120BG

APT43GA90BD30

APT43M60L

APT45GR65B

APT45GP120B2DQ2G

APT43M60B2

APT44GA60BD30C

APT45GR65BSCD10

Selecione o idioma

Linguagem atual