APT58F50J

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Especificações

Modelo do Produto

APT58F50J
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

APT58F50J.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ISOTOP®
Série

POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

65 mOhm @ 42A, 10V
Dissipação de energia (Max)

540W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 58A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

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