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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APTCV50H60T3G

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APTCV50H60T3G

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

APTCV50H60T3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.APTCV50H60T3G.pdf
2.APTCV50H60T3G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

1.9V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor

SP3
Série

-
Power - Max

176W
Caixa / Gabinete

SP3
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor

Yes
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT, Trench Field Stop
Descrição detalhada

IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP3
Atual - Collector Cutoff (Max)

250µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

80A
Configuração

Full Bridge

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