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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APTGT75DH120T3G

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6000854

APTGT75DH120T3G

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

APTGT75DH120T3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOD IGBT 1200V 110A SP3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

APTGT75DH120T3G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.1V @ 15V, 75A
Embalagem do dispositivo fornecedor

SP3
Série

-
Power - Max

357W
Caixa / Gabinete

SP3
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor

Yes
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
Descrição detalhada

IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP3
Atual - Collector Cutoff (Max)

250µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

110A
Configuração

Asymmetrical Bridge

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