APTM50DAM19G

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

APTM50DAM19G
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 163A SP6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.APTM50DAM19G.pdf
2.APTM50DAM19G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SP6
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

22.5 mOhm @ 81.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1136W (Tc)
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

SP6
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

22400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

492nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 163A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

163A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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Apoiamos vários métodos de pagamento, incluindo cartões de crédito, transferências de arame e outras opções e aceitamos a maioria das moedas.Para pedidos feitos em USD, opções de pagamento adicionais estão disponíveis.Para obter mais detalhes sobre métodos e procedimentos de pagamento, entre em contato com nossa equipe de vendas.

O seguinte é "APTM50DAM19G" produtos relacionados.

APTM50DHM65T3G

Descrição: MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

Fabricantes: Microsemi

Disponível

APTM50DAM19G

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