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APTSM120AM14CD3AG

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Especificações
  • Modelo do Produto
    APTSM120AM14CD3AG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    POWER MODULE - SIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 9mA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Module
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    11 mOhm @ 180A, 20V
  • Power - Max
    2140W
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    Module
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Chassis Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    14 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    23000pF @ 1000V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    1224nC @ 20V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual), Schottky
  • Característica FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 2140W Chassis Mount Module
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    337A (Tc)

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Descrição: POWER MODULE - SIC

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