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Casa > Produtos > Proteção de circuito > TVS - diodos > JAN1N6508
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3730023

JAN1N6508

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    JAN1N6508
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TVS DIODE 14CDIP
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    JAN1N6508.pdf
  • Tensão - Reverse Standoff (Typ)
    8
  • Tensão - Aperto (Max) @ Ipp
    -
  • Voltagem - Discriminação (Min)
    -
  • Tensão - Breakdown
    14-CDIP
  • Digitar
    Steering (Rail to Rail)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/474
  • Status de RoHS
    Bulk
  • Corrente de Ondulação - Baixa Frequência
    Ethernet
  • Proteção da linha de alimentação
    -
  • Potência - Pico de pulso
    -
  • Polarização
    14-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • Temperatura de operação
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de peça do fabricante
    JAN1N6508
  • Descrição
    TVS DIODE 14CDIP
  • Corrente - Pico de Pulso (10 / 1000μs)
    -
  • Capacitância @ Frequency
    -
  • Canais Bidirecionais
    No

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Envio
Pagamento
O seguinte é "JAN1N6508" produtos relacionados.
JAN1N6622

JAN1N6622

Descrição: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Descrição: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Descrição: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Descrição: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Descrição: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Descrição: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Descrição: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Descrição: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Descrição: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Descrição: TVS DIODE 14CDIP

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Descrição: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Descrição: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Descrição: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Descrição: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Descrição: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Descrição: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
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