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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > JAN1N6629US
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1101890Imagem JAN1N6629US.Microsemi

JAN1N6629US

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Disponível
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$21.377
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    JAN1N6629US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.4V @ 1.4A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    880V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    D-5B
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    50ns
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    E-MELF
  • Outros nomes
    1086-19990
    1086-19990-MIL
  • Temperatura de Operação - Junção
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount D-5B
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    2µA @ 880V
  • Atual - rectificada média (Io)
    1.4A
  • Capacitância @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

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Envio
Pagamento
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JAN1N6638U

JAN1N6638U

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Descrição: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

Descrição: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Descrição: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Descrição: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Descrição: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Descrição: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Descrição: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Descrição: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Descrição: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Descrição: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Descrição: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Descrição: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
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