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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > JAN2N5415

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JAN2N5415

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

JAN2N5415
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 200V 1A TO-5
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

JAN2N5415.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

200V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

2V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-5
Série

Military, MIL-PRF-19500/485
Power - Max

750mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Outros nomes

1086-21046
1086-21046-MIL
Temperatura de operação

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 200V 1A 750mW Through Hole TO-5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1mA
Atual - Collector (Ic) (Max)

1A

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