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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > JAN2N6251

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JAN2N6251

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

JAN2N6251
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 350V 10A TO-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

JAN2N6251.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

350V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.67A, 10A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-3 (TO-204AA)
Série

Military, MIL-PRF-19500/510
Power - Max

5.5W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-3
Outros nomes

1086-21092
1086-21092-MIL
Temperatura de operação

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 10A 5.5W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

6 @ 10A, 3V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1mA
Atual - Collector (Ic) (Max)

10A

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Forma de pagamento

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