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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > JANTXV2N3810L

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Imagem JANTXV2N3810L.

Microsemi

JANTXV2N3810L

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

100+

$40.624

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

JANTXV2N3810L
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP 60V 0.05A
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

JANTXV2N3810L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-78-6
Série

Military, MIL-PRF-19500/336
Power - Max

350mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-78-6 Metal Can
Outros nomes

1086-3087
1086-3087-MIL
Temperatura de operação

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

50mA

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