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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTA115TE,115

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Imagem PDTA115TE,115.

NXP Semiconductors / Freescale

PDTA115TE,115

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PDTA115TE,115
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PDTA115TE,115.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-75
Série

-
Resistor - Base (R1)

100 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-75, SOT-416
Outros nomes

568-2111-2
934058801115
PDTA115TE T/R
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

PDTA115

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