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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTB113EK,115

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5851922

PDTB113EK,115

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PDTB113EK,115
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PDTB113EK,115.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMT3; MPAK
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

1 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms
Power - Max

250mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

934058968115
PDTB113EK T/R
PDTB113EK T/R-ND
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA
Número da peça base

PDTB113

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