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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTC115TS,126

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607712

PDTC115TS,126

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PDTC115TS,126
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PDTC115TS,126.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92-3
Série

-
Resistor - Base (R1)

100 kOhms
Power - Max

500mW
Embalagem

Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes

934058784126
PDTC115TS AMO
PDTC115TS AMO-ND
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

PDTC115

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