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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTC124EE,115

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5319383

Imagem PDTC124EE,115.

NXP Semiconductors / Freescale

PDTC124EE,115

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PDTC124EE,115
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PDTC124EE,115.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-75
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-75, SOT-416
Outros nomes

568-11250-2
934051830115
PDTC124EE T/R
PDTC124EE T/R-ND
PDTC124EE,115-ND
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

PDTC124

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