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PHK4NQ20T,518

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    PHK4NQ20T,518
  • Fabricante / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    PHK4NQ20T,518.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SO
  • Série
    TrenchMOS™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    130 mOhm @ 4A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    6.25W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Outros nomes
    934057303518
    PHK4NQ20T /T3
    PHK4NQ20T /T3-ND
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    2 (1 Year)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1230pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    200V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 200V 4A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
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Envio
Pagamento
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Descrição: MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1

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Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

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