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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > PBSS5260PAP,115

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Imagem PBSS5260PAP,115.

Nexperia

PBSS5260PAP,115

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Disponível

3000+

$0.224

6000+

$0.209

15000+

$0.195

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PBSS5260PAP,115
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP 60V 2A 6HUSON
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PBSS5260PAP,115.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-HUSON-EP (2x2)
Série

-
Power - Max

510mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes

1727-1081-2
568-10209-2
568-10209-2-ND
934066891115
PBSS5260PAP
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 2A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 1A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

2A
Número da peça base

PBSS5260PAP

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