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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTA113ZM,315

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4216615

Imagem PDTA113ZM,315.

Nexperia

PDTA113ZM,315

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Disponível

10000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PDTA113ZM,315
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PDTA113ZM,315.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

DFN1006-3
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms
Power - Max

250mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-101, SOT-883
Outros nomes

934058824315
PDTA113ZM T/R
PDTA113ZM T/R-ND
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

PDTA113

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