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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTA123JTVL

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864509

Imagem PDTA123JTVL.

Nexperia

PDTA123JTVL

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PDTA123JTVL
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PDTA123JTVL.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-236AB (SOT23)
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

250mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

934055395235
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

PDTA123

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