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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTA124EMB,315

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Imagem PDTA124EMB,315.

Nexperia

PDTA124EMB,315

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Disponível

10000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PDTA124EMB,315
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

DFN1006B-3
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Power - Max

250mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

3-XFDFN
Outros nomes

934065925315
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

180MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

PDTA124

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