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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTB114ETR

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177622

Imagem PDTB114ETR.

Nexperia

PDTB114ETR

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$0.147

500+

$0.097

1000+

$0.074

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PDTB114ETR
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 0.46W
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PDTB114ETR.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-236AB (SOT23)
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

320mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

1727-8163-1
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

140MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 140MHz 320mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA

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