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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > PDTC114EMB,315

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1999188

Imagem PDTC114EMB,315.

Nexperia

PDTC114EMB,315

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Disponível

10000+

$0.085

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PDTC114EMB,315
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PDTC114EMB,315.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

DFN1006B-3
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

250mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

3-XFDFN
Outros nomes

934067008315
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

230MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

PDTC114

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