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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > PEMD48,115

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Imagem PEMD48,115.

Nexperia

PEMD48,115

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Disponível

4000+

$0.068

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PEMD48,115
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PEMD48,115.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-666
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms, 22 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

1727-1721-2
568-11263-2
568-11263-2-ND
934056708115
PEMD48 T/R
PEMD48 T/R-ND
PEMD48,115-ND
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

P*MD48

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