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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > PMDPB58UPE,115

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Imagem PMDPB58UPE,115.

Nexperia

PMDPB58UPE,115

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PMDPB58UPE,115
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PMDPB58UPE,115.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-HUSON-EP (2x2)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

67 mOhm @ 2A, 4.5V
Power - Max

515mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes

1727-1237-1
568-10442-1
568-10442-1-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

804pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.6A 515mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3.6A

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