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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > PUMD3,135

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3256113

Imagem PUMD3,135.

Nexperia

PUMD3,135

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PUMD3,135
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PUMD3,135.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-TSSOP
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

1727-7536-2
934050170135
PUMD3,135-ND
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

P*MD3

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