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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > PUMH1,115

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Imagem PUMH1,115.

Nexperia

PUMH1,115

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$0.106

1000+

$0.072

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

PUMH1,115
Fabricante / Marca

Nexperia
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

PUMH1,115.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-TSSOP
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

1727-6298-1
568-8116-1
568-8116-1-ND
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

230MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

P*MH1

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